瑞晶股份股票历史最低价格

❶ 力晶半导体的历史沿革

1994 年 12 月 力晶半导体股份有限公司成立。
1995 年 03 月 八吋晶圆厂(8A厂)动土典礼。
1996 年 04 月 8A厂正式启用。
10 月 8A厂开始量产0.40微米 16Mb DRAM / SDRAM。
1997 年 12 月 获颁 ISO 9002 国际品保系统验证证书。
1998 年 02 月 8A厂量产 0.30 微米 64Mb DRAM / SDRAM。
03 月 公司股票正式以科技类股於柜买中心挂牌上柜。
07 月 切入代工服务领域有成，第一家美国代工客户产品试产成功。
12 月 获颁 ISO 14001 国际环境管理系统验证证书。
1999 年 06 月 与世界先进及三菱电机签订策略联盟合作备忘录，共组联盟关系。
11 月 发行第一次海外存托凭证，总金额达美金288,900,000元。
2000 年 07 月 举行第一座十二吋晶圆厂(P1厂)动土典礼。
2001 年 05 月 发行第一次公司债(含海外公司债)，总额达美金200,000,000元。
09 月 荣获经济部工业局所举办的第十二届「品质优良案例奖」。
2002 年 10 月 通过OHSAS 18001职业安全卫生评估系列验证。
11 月 第一座十二吋晶圆厂(Fab P1)正式量产。
2003 年 01 月 谢再居博士接任总经理肩负营运重责。
08 月 力晶与日本Elpida公司正式签订0.10、0.09微米技术转移合约。
10 月 第二座十二吋晶圆厂(P2厂)动土典礼。
2004 年 04 月 力晶十二吋晶圆厂代工业务正式投片。
09 月 力晶员工诊所开幕。
2005 年 01 月 获颁ISO / TS 16949证书。
03 月 P2厂正式启用。
05 月 力晶开始以十二吋晶圆厂生产高容量快闪记忆体。
2006 年 01 月 与旺宏达成协议购入晶圆厂房，并命名为 12M厂。
02 月 与瑞萨 (Renesas) 达成AG-AND 快闪记忆体技术授权协议。
12 月 与尔必达签订合作备忘录，将设合资公司以新台币4,500亿元於台湾中部建置全球最大12吋晶圆DRAM厂区；双方并决定共同开发50奈米DRAM制程技术。
2007 年 06 月 力晶研发测试中心动土典礼。
10 月 与尔必达合资之瑞晶电子公司第一座十二吋晶圆厂(R1厂)启用。
2008 年 04 月 8A厂独立为钜晶电子公司。
4 月 与日商瑞萨、SHARP合资设立Renesas SP公司，共同拓展LCD驱动晶片市场。
4 月 第四/五座十二英寸晶圆厂(P4/P5厂)动土。